上海源斌请求一种无片外电容的高电源按捺比的低压差线性稳压器专利中高频电源按捺比进步约 13dB
上海源斌请求一种无片外电容的高电源按捺比的低压差线性稳压器专利中高频电源按捺比进步约 13dB
时间: 2025-01-02 12:39:12 | 作者: 爱游戏网页版
金融界 2024 年 12 月 18 日音讯,国家知识产权局信息数据显现,上海源斌电子科技有限公
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金融界 2024 年 12 月 18 日音讯,国家知识产权局信息数据显现,上海源斌电子科技有限公司请求一项名为“一种无片外电容的高电源按捺比的低压差线性稳压器”的专利,公开号 CN 119126903 A,请求日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显现,一种无片外电容的高电源按捺比的低压差线性稳压器。本发明适用于集成电路技能,提出了一种具有高电源电压按捺比的无片外电容式低压差线性稳压器(LDO)及其相关的 PSRR(电源按捺比)进步电路。该 LDO 采用了输入端的差错放大器与 PMOS 源随器组成的特别结构,在差错放大器后引进 PMOS 源随器作为缓冲级,增强了反应操控回路的稳定性,并经过两个相同的共源共栅型电流镜进行电流转化。此外,该电路结合 PSRR 增强电路和补偿电容电路,有用按捺电源上的纹波,供给单端输出。因为该电路结构的共同规划,本发明中的 LDO 具有以下优势:1.推挽式输出,供给更高的输出电压摆幅。2.仿真成果为,在中高频时的电源按捺比相较传统无片外电容 LDO 进步了约 13dB,具有更高的鲁棒性和较低的功耗。